Was ist ein LED-Chip? (Zweiter Teil)

Das Wesen des Flip-Chips basiert auf dem traditionellen Verfahren, dem lichtemittierenden Bereich ​​der Chip und der Elektrodenbereich sind nicht auf der gleichen Ebene ausgelegt. Zu diesem Zeitpunkt ist der Elektrodenbereich zum Montieren dem Boden des Lampenbechers zugewandt, was den Vorgang des Bondens von Drähten einsparen kann. Die Präzisionsanforderungen für diesen Prozess des Die-Bondens sind jedoch relativ hoch, und es ist im Allgemeinen schwierig, eine hohe Ausbeute zu erzielen.

Voraussetzungen für Flip-Chip:

①Das Grundmaterial ist Silizium; ②Die elektrische Oberfläche und die Lötperlen befinden sich auf der unteren Oberfläche der Komponente; ③Unterfüllung ist nach der Montage auf dem Untergrund erforderlich.

Die Verbesserung der Lichtausbeute von LED-Chips bestimmt die Energiesparfähigkeit der Zukunft 7-Seg-LED-Anzeige Straßenlaternen. Mit der Entwicklung der Epitaxialwachstumstechnologie und von Mehrfach-Quantum-Well-Strukturen wurde die interne Quanteneffizienz von Epitaxial-Wafern stark verbessert. Wie man die Normen für Straßenlaternen erfüllt, hängt zu einem großen Teil davon ab, wie man mit der geringsten Leistung das meiste Licht aus dem Chip holt. Einfach ausgedrückt soll die Ansteuerspannung reduziert und die Lichtintensität erhöht werden. Der herkömmliche LED-Chip mit positiver Montagestruktur erfordert im Allgemeinen eine halbtransparente leitfähige Schicht, die auf p-GaN plattiert werden muss, um die Stromverteilung gleichmäßiger zu machen, und diese leitfähige Schicht absorbiert teilweise das von der LED emittierte Licht, und die p- Elektrode wird einen Teil davon abdecken Licht, was die Lichtemissionseffizienz des LED-Chips begrenzt.　

Vorteile von Flip-Chip gegenüber herkömmlichem Verfahren:

Die GaN-basierte LED-Strukturschicht wird auf dem Saphirsubstrat durch die MOCVD-Technologie aufgewachsen, und das Licht, das von dem lichtemittierenden Bereich des P/N-Übergangs emittiert wird, wird durch den oberen Bereich vom P-Typ emittiert. Aufgrund der schlechten Leitfähigkeit von GaN vom P-Typ ist es, um eine gute Stromausdehnung zu erhalten, notwendig, eine Metallelektrodenschicht, die aus Ni-Au besteht, auf der Oberfläche des P-Bereichs durch Dampfabscheidungstechnologie zu bilden. Die Leitungen des P-Bereichs werden durch diese Metallfilmschicht herausgeführt. Um eine gute Stromausdehnung zu erhalten, sollte die Ni-Au-Metallelektrodenschicht nicht zu dünn sein. Aus diesem Grund wird die Lichtausbeute des Geräts stark beeinflusst, und es ist normalerweise erforderlich, die beiden Faktoren Stromausdehnung und Lichtausbeute gleichzeitig zu berücksichtigen. Unter allen Umständen verschlechtert jedoch das Vorhandensein von Metalldünnfilmen immer die Lichtdurchlässigkeitsleistung. Außerdem wirkt sich das Vorhandensein von Drahtlötverbindungen auch auf die Lichtextraktionseffizienz der Vorrichtung aus. Die Verwendung einer GaN-LED-Flip-Chip-Struktur kann die obigen Probleme grundsätzlich eliminieren.